Почти 70% линий по выпуску памяти находятся в зоне поражения обычной артиллерией противника

Aнaлитики кoмпaнии Semico Research oпубликoвaли oтчёт o сoстoянии дeл прoизвoдитeлeй пaмяти и вырaзили oбeспoкoeннoсть рoстoм нaпряжённoсти вoкруг Сeвeрнoй Кoрeи. Кoнфликтa мoжeт и нe быть, нo в зoну рискa пoпaли двe трeти зaвoдoв пo прoизвoдству тaк нeoбxoдимoй миру пaмяти типa DRAM и NAND. Пoрядкa 70 % мирoвoгo прoизвoдствa пaмяти сoсрeдoтoчeнo в Южнoй Кoрee. Этo заводы компаний Samsung и SK Hynix. На картинке ниже вы можете видеть расположения заводов Samsung (S) и SK Hynix (H) с расшифровкой числа действующих и строящихся линий (фабрик) компаний. Все они находятся в зоне поражения обычной артиллерией со стороны Северной Кореи. В случае конфликта всё это может быть в одночасье уничтожено с катастрофическими последствиями для мировой экономики в целом.

Политическая нестабильность в регионе может дополнительно подогреть растущие отпускные цены на память. Аналитики привели детальный анализ ситуации на рынке и отдельно по производителям. Рост средних отпускных цен начался в июне 2016 года и не думает заканчиваться. Производители начали лучше контролировать инвестиции в производство памяти, а объём памяти в пересчёте на одно устройство вырос. Чипов на всех перестало хватать.

С 2012 по 2016 год (кроме провала в 2015 году) капитальные затраты на производство памяти росли сильнее, чем затраты на производство остальных полупроводников. Ближе к 2016 году капитальные затраты начали вкладываться не в расширение линий для внедрённых техпроцессов, а шли на линии по производству с передовыми технологическими нормами, которые требовали увеличенное число циклов на обработку каждой пластины (многократное проецирование и так далее). В значительной мере это касалось перехода на выпуск многослойной памяти 3D NAND. Внедрение производства 3D NAND потребовало колоссальных расходов.

В 2012 году на нужды по производству памяти ушло только 30 % от ежегодных капитальных затрат. В последующие три года этот процент рост до пика в 39 % в 2015 году. В 2016 году процент затрат на выпуск памяти снизился до 36 % и в 2017 году снова обещает подскочить до 39 %. В разные годы каждая из компаний варьировала объёмы средств, которые отпускались на модернизацию и расширение линий. Так, в 2012 году Samsung на эти цели (на память) отложила 56 % капзатрат (и потом первой начала выпускать 3D NAND). В 2016 году Samsung отпустила на память заметно меньше — 37 % от средств на капитальные затраты.

Второй после Samsung по объёму капитальных затрат на производство памяти в 2012 году была компания SK Hynix. На эти цели она потратила 20,3 % от выделенных средств. В 2016 году она опустилась на третье место с объёмом капсредств на DRAM и NAND на уровне 21,6 %. Вместе Samsung и SK Hynix потратили на производство памяти в 2012 году 76 % капитальных затрат и 58,8 % в 2016 году.

С 2012 по 2016 годы компании Micron, Toshiba, Intel и Western Digital (SanDisk) также увеличивали свои затраты на производство памяти. Сильнее всех в этот период потратилась компания Intel — в среднем на 29 % в год, поскольку у неё была самая маленькая база для выпуска памяти. Траты Intel направлены на самое передовое — на выпуск 3D NAND и 3D XPoint. Обе эти позиции могут подтолкнуть продажи процессоров, так что Intel лично заинтересована в наращивании производства энергонезависимой памяти.

Рост затрат на память компанией Micron был на втором месте с 28,7% в год (в среднем в сложных процентах). В 2016 году Micron стала второй по капитальным затратам, но в 2017 году вновь уступит второе место компании SK Hynix. Среднегодовой рост капзатрат SK Hynix на память с 2012 по 2016 год был достаточно скромным — на 9,4 % в год, но в 2017 году затраты компании на память попадут в диапазон 19-24 %. Компании Toshiba and WD (SanDisk) за период с 2012 по 2016 годы в среднем тратили на память 13,7 % и 12,3 % соответственно (наглядно все эти данные можно увидеть на графике ниже, вся информация, напомним, предоставлена компанией Semico Research).

Отметим, на графике отсутствуют китайские производители. В Китае за последний год начато строительство трёх мегафабрик по производству DRAM и 3D NAND. Пока это ещё не туз в рукаве, а только джокер. Заводы в Китае начнут работать в 2018 и в 2019 годах. На полную мощность они выйдут к 2022-2025 году. Вот тогда начнётся самое веселье. Создаётся впечатление, что сейчас производители памяти стремятся собрать все сливки с рынка памяти, а потом хоть трава не расти.

Безусловно, рост доходов производителей памяти происходит благодаря росту средней цены продаж памяти. Показатель ASP (average selling prices) был самым низким в июне 2016 года. К концу 2016 величина ASP на DRAM выросла на 30,8 %. Значение ASP памяти NAND за то же время увеличилось на 44,2 %. В 2017 году эти тенденции продолжили своё развитие. К настоящему времени ASP DRAM увеличилась ещё на 47,2 %, а ASP NAND выросла на 20,6 %. Помимо отсутствия действий и планов по расширению линий для производства памяти негативным фактором стало удлинение производственных циклов и, как следствие, снижение числа обрабатываемых за месяц пластин. А не дай бог ещё грянет…

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.