Samsung увеличивает объёмы производства 8-Гбайт микросхем памяти HBM2

Пaмять HBM2 всё eщё рaспрoстрaнeнa нe тaк сильнo из-зa свoeй дoрoгoвизны, а также относительно скромных объёмов производства. Однако постепенно ситуация меняется в лучшую сторону. Так сегодня компания Samsung Electronics объявила о том, что она наращивает объем производства микросхем памяти HBM2 объёмом 8 Гбайт для удовлетворения растущих потребностей рынка.

«Увеличивая выпуск единственных на данный момент в отрасли 8-Гбайт микросхем памяти HBM2, мы стремимся обеспечить производителей достаточным запасом для своевременной разработки новых и модернизации существующих систем», – сказал Джешу Хан, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу в Samsung Electronics. «Мы продолжим предоставлять наиболее продвинутые линейки памяти HBM2, тесно сотрудничая с нашими клиентами».

Компания отмечает, что только она предлагает память HBM2 в микросхемах по 8 Гбайт. Такая микросхема состоит из восьми 8-гигабитных кристаллов HBM2 и буферного кристалла в нижней части стека, которые все вертикально связаны между собой межслойными соединениями (TSV). Один стек Samsung 8 Гбайт HBM2 имеет более 40 000 TSV, благодаря чему обеспечивается высокая производительность и надёжность.

В связи с увеличением спроса, Samsung ожидает, что на микросхемы памяти HBM2 объёмом 8 Гбайт придётся более 50% производства всей памяти HBM2 уже к первой половине следующего года.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.